企业简介
深圳丹邦投资集团有限公司 main business:投资兴办实业（具体项目另行申报）；功能性高分子材料、微电子聚合物材料、OLED封装材料、有机发光材料、太阳能电池材料的技术开发与销售（不含专营、专控、专卖商品及限制项目），经营进出口业务（法律、行政法规、国务院决定禁止的项目除外，限制的项目须取得许可后方可经营）^ and other products. Company respected "practical, hard work, responsibility" spirit of enterprise, and to integrity, win-win, creating business ideas, to create a good business environment, with a new management model, perfect technology, attentive service, excellent quality of basic survival, we always adhere to customer first intentions to serve customers, persist in using their services to impress clients.
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深圳丹邦投资集团有限公司的工商信息
- 440301102864651
- 91440300729848495N
- 存续（在营、开业、在册）
- 有限责任公司(自然人独资)
- 2001年06月21日
- 刘萍
- 9000.000000
- 2001年06月21日 至 2051年06月21日
- 深圳市市场监督管理局
- 2016年07月19日
- 深圳市南山区高新园北区朗山一路8号丹邦科技大楼4层东南侧
- 投资兴办实业（具体项目另行申报）；功能性高分子材料、微电子聚合物材料、OLED封装材料、有机发光材料、太阳能电池材料的技术开发与销售（不含专营、专控、专卖商品及限制项目），经营进出口业务（法律、行政法规、国务院决定禁止的项目除外，限制的项目须取得许可后方可经营）^
深圳丹邦投资集团有限公司的专利信息
| 序号 | 公布号 | 发明名称 | 公布日期 | 摘要 |
| 1 | CN101645469A | 一种薄膜太阳电池及其制造方法 | 2010.02.10 | 本发明公开了一种薄膜太阳电池及其制造方法。该薄膜太阳电池从下到上依次由玻璃基底、钼铜背电极、铜硅锡硫 |
| 2 | CN104576827B | 铜锌锡硫太阳能电池的制备方法 | 2016.12.07 | 本发明公开了一种铜锌锡硫太阳能电池的制备方法，包括如下步骤：在衬底层表面形成铝薄膜；在所述铝箔膜表面 |
| 3 | CN103474356B | 一种氮氧锌薄膜的制备方法 | 2016.08.17 | 本发明公开了一种氮氧锌薄膜的制备方法，采用射频磁控溅射，以体积百分数99.9‑99.999%的氮化锌 |
| 4 | CN103560147B | 一种氮磷氧锌薄膜及其制备方法和薄膜晶体管 | 2016.06.08 | 本发明公开了一种氮磷氧锌薄膜及其制备方法和薄膜晶体管，所述氮磷氧锌薄膜的组成为ZnxPyO1-x-y |
| 5 | CN103545377B | 一种氧化物薄膜晶体管及其制造方法 | 2015.12.30 | 本发明公开了一种氧化物薄膜晶体管及其制造方法，该晶体管包括源极、漏极和IGZO薄膜层，还包括铪钕合金 |
| 6 | CN101645466A | 薄膜太阳电池CdS缓冲层及制备方法 | 2010.02.10 | 本发明涉及薄膜太阳电池CdS缓冲层及制备方法。将含镉的化合物与含硫的化合物进行化学反应，反应中添加含 |
| 7 | CN105047131A | 一种AMOLED像素电路的控制方法 | 2015.11.11 | 本发明公开了AMOLED像素电路的控制方法，包括：打开第一TFT开关管和第二TFT开关管，分别使第一 |
| 8 | CN103050412B | 氧化物薄膜晶体管的制造方法 | 2015.10.21 | 本发明公开了氧化物薄膜晶体管的制造方法，所述氧化物薄膜晶体管包括氧化物半导体层、源极和漏极，所述氧化 |
| 9 | CN103680412B | 高精度电压编程像素电路及柔性AMOLED显示器 | 2015.10.21 | 一种高精度电压驱动像素电路，包括第一TFT开关管、第二TFT开关管、TFT驱动管、电容器和柔性AMO |
| 10 | CN104692339A | 一种Cu<sub>3</sub>SbSe<sub>3</sub>纳米材料及其制备方法 | 2015.06.10 | 本发明公开了一种Cu<sub>3</sub>SbSe<sub>3</sub>纳米材料的制备方法，包括 |
| 11 | CN104692340A | 用于制备金属硒化物纳米材料的硒前躯体 | 2015.06.10 | 本发明公开了一种用于制备金属硒化物纳米材料的硒前躯体，所述硒前驱体是由含硒物质、无磷有机溶剂和硼烷类 |
| 12 | CN103000530B | 顶栅氧化物薄膜晶体管的制造方法 | 2015.05.20 | 本发明公开了顶栅氧化物薄膜晶体管的制造方法，所述顶栅氧化物薄膜晶体管包括氧化物半导体层、源极和漏极， |
| 13 | CN104576961A | 一种基于量子点的OLED白光器件及其制作方法 | 2015.04.29 | 本发明公开了一种基于量子点的OLED白光器件，包括基板、蓝光OLED器件、量子点层以及薄膜封装层，且 |
| 14 | CN104576827A | 铜锌锡硫太阳能电池的制备方法 | 2015.04.29 | 本发明公开了一种铜锌锡硫太阳能电池的制备方法，包括如下步骤：在衬底层表面形成铝薄膜；在所述铝箔膜表面 |
| 15 | CN104538488A | 一种铜铟镓硒薄膜及其制备方法 | 2015.04.22 | 本发明公开一种铜铟镓硒薄膜及其制备方法，所述方法包括S1、在钼基底上镀一层厚度为10～1000nm的 |
| 16 | CN104495762A | ZnSe纳米晶的制备方法、ZnSe纳米晶及ZnSe缓冲层的制备方法 | 2015.04.08 | 本发明公开了一种ZnSe纳米晶的制备方法，包括如下步骤：S1、制备硒前驱体溶液：将油胺、硒单质和还原 |
| 17 | CN101894922B | 有机发光器件及其复合阳极 | 2014.07.02 | 本发明提供一种有机发光器件、其复合阳极及制作方法。该有机发光器件包含基板、复合阳极、空穴传输层、发光 |
| 18 | CN103680412A | 高精度电压编程像素电路及柔性AMOLED显示器 | 2014.03.26 | 一种高精度电压驱动像素电路，包括第一TFT开关管、第二TFT开关管、TFT驱动管、电容器和柔性AMO |
| 19 | CN103560147A | 一种氮磷氧锌薄膜及其制备方法和薄膜晶体管 | 2014.02.05 | 本发明公开了一种氮磷氧锌薄膜及其制备方法和薄膜晶体管，所述氮磷氧锌薄膜的组成为ZnxPyO1-x-y |
| 20 | CN103545343A | 高精度电压编程像素电路及OLED显示器 | 2014.01.29 | 一种高精度电压驱动像素电路，包括第一TFT开关管、第二TFT开关管、TFT驱动管、电容器和OLED， |
| 21 | CN103545377A | 一种氧化物薄膜晶体管及其制造方法 | 2014.01.29 | 本发明公开了一种氧化物薄膜晶体管及其制造方法，该晶体管包括源极、漏极和IGZO薄膜层，还包括铪钕合金 |
| 22 | CN103474356A | 一种氮氧锌薄膜的制备方法 | 2013.12.25 | 本发明公开了一种氮氧锌薄膜的制备方法，采用射频磁控溅射，以体积百分数99.9-99.999%的氮化锌 |
| 23 | CN102005487B | 一种柔性薄膜太阳电池用光吸收层材料及其制备方法 | 2013.12.11 | 本发明涉及一种柔性薄膜太阳电池用光吸收层材料及其制备方法。所述光吸收层材料为黄铜矿结构Cu(InxA |
| 24 | CN102446489B | 一种像素电路及其驱动方法 | 2013.08.21 | 本发明公开了一种像素电路，包括第一晶体管，电容，第三晶体管，第二晶体管、第四晶体管和第五晶体管，第三 |
| 25 | CN102044558B | 有机发光显示装置的透明导电基板及其制备方法 | 2013.08.21 | 本发明公开了一种有机发光显示装置的透明导电基板及其制备方法，本发明的有机发光显示装置的透明导电基板， |
| 26 | CN101694868B | 有机发光器件及其光抽取结构的制作方法 | 2013.05.08 | 本发明提供一种有机发光器件，包括基板、位于基板上的透明阳极、位于透明阳极上的有机空穴传输层、位于有机 |
| 27 | CN102185121B | 一种倒置结构有机发光装置的制作方法 | 2013.05.01 | 本发明提供一种倒置结构有机发光装置的制作方法，包括如下步骤：沉积步骤：将硼化物放置在特定的容器内，加 |
| 28 | CN103050412A | 氧化物薄膜晶体管的制造方法 | 2013.04.17 | 本发明公开了氧化物薄膜晶体管的制造方法，所述氧化物薄膜晶体管包括氧化物半导体层、源极和漏极，所述氧化 |
| 29 | CN101894747B | 非晶硅薄膜的晶化及多晶硅薄膜的制造方法和装置 | 2013.04.17 | 一种非晶硅薄膜的晶化以及多晶硅薄膜的制造方法和装置，用高能量密度的电子束作用到非晶硅薄膜上，控制电子 |
| 30 | CN103000530A | 顶栅氧化物薄膜晶体管的制造方法 | 2013.03.27 | 本发明公开了顶栅氧化物薄膜晶体管的制造方法，所述顶栅氧化物薄膜晶体管包括氧化物半导体层、源极和漏极， |
| 31 | CN102332572B | 一种负极材料及其制造方法、锂离子电池及其负极片 | 2013.02.27 | 本发明公开了一种负极材料，所述材料包含石墨烯片的堆叠层和锡金属颗粒，所述锡金属颗粒嵌入所述石墨烯片中 |
| 32 | CN101851505B | 一种香豆素类有机电致荧光材料及其合成方法 | 2013.02.27 | 本发明涉及一种新型香豆素类电致荧光材料，这类荧光材料是具有以下结构，如式所示。这类材料应用与电致发光 |
| 33 | CN102104114B | 一种柔性基板及其制备方法 | 2013.02.27 | 本发明公开了一种柔性基板，包括有机高分子塑料基板和氧化铟锡半导体透明导电膜，其特征在于：在所述有机高 |
| 34 | CN102201551B | 一种倒置结构有机发光装置的制作方法 | 2013.01.30 | 本发明提供一种倒置结构有机发光装置的制作方法，包括如下步骤：沉积步骤：将硼化物放置在特定的容器内，加 |
| 35 | CN102044577B | 一种柔性薄膜太阳电池及其制造方法 | 2012.12.19 | 本发明公开了一种柔性薄膜太阳电池及其制造方法，该薄膜太阳电池从下到上依次由聚亚酰胺、钼背电极、铜铟铝 |
| 36 | CN101824638B | 一种电化学沉积铜锌锡硒半导体薄膜材料的方法 | 2012.12.19 | 本发明涉及一种电化学沉积铜锌锡硒半导体薄膜材料的方法：先在基底上阴极恒电位电沉积含Cu、Zn、Sn、 |
| 37 | CN102332571B | 一种硅碳复合负极材料及制造方法、锂离子电池及负极片 | 2012.12.19 | 本发明公开了一种硅碳复合负极材料及其制备方法，所述材料具有纳微结构，所述纳微结构指的是：所述材料主要 |
| 38 | CN101851501B | 一类新型电致磷光材料及其合成方法 | 2012.12.19 | 本发明公开了一新型电致磷光材料及其合成方法，这类磷光材料是具有L<sub>2</sub>IrX形式的 |
| 39 | CN101673507B | 一种有机发光显示器的扫描系统 | 2012.11.14 | 本发明提供一种有机发光显示器的扫描系统，包括：显示屏，包含多个依次相邻排列、形状相同四边形的单元像素 |
| 40 | CN101980366B | 一种柔性薄膜太阳能电池缓冲层及其制备方法 | 2012.10.17 | 本发明提供一种柔性薄膜太阳能电池缓冲层及其制备方法。本发明的柔性薄膜太阳能电池缓冲层为Zn1-xMx |
| 41 | CN101859800B | 一种具有较高载流子传输特性的TFT基板及其制备方法 | 2012.06.06 | 本发明涉及一种具有较高载流子传输特性的硅薄膜及其制备方法，涉及真空镀膜技术。该硅薄膜是由非晶硅薄膜与 |
| 42 | CN102446489A | 一种像素电路及其驱动方法 | 2012.05.09 | 本发明公开了一种像素电路，包括第一晶体管，电容，第三晶体管，第二晶体管、第四晶体管和第五晶体管，第三 |
| 43 | CN101667418B | 一种显示屏显示亮度补偿的方法及其系统 | 2012.03.28 | 本发明提供一种显示屏显示亮度补偿的方法及其系统。所述的显示屏幕划分为若干个显示区域，在每个显示区域内 |
| 44 | CN101840865B | 一种薄膜晶体管的制造方法及用该方法制造的晶体管 | 2012.02.15 | 本发明公开了一种薄膜晶体管的制造方法及用该方法制造的晶体管，该方法的特征在于：在基板上依次形成表面覆 |
| 45 | CN101866954B | 一种具有微通道结构的TFT基板及其制备方法 | 2011.12.14 | 本发明涉及一种具有微通道结构的TFT基板及其制备方法，涉及真空镀膜技术。该TFT基板包括非晶硅薄膜与 |
| 46 | CN101645466B | 薄膜太阳电池CdS缓冲层及制备方法 | 2011.11.30 | 本发明涉及薄膜太阳电池CdS缓冲层及制备方法。将含镉的化合物与含硫的化合物进行化学反应，反应中添加含 |
| 47 | CN101752500B | 一种封装阻隔涂层及其制备方法 | 2011.11.16 | 本发明涉及一种用于封装高性能OLED、薄膜太阳能电池等环境敏感器件的封装阻隔涂层，它是采用氮化无机涂 |
| 48 | CN101692484B | 一种倒置结构有机发光装置及其制作方法 | 2011.10.26 | 本发明提供一种倒置结构有机发光装置及其制作方法，将采用倒置结构有机发光装置采用低功函数、高稳定性硼化 |
| 49 | CN102223760A | 一种柔性基板、柔性AMOLED以及柔性PMOLED | 2011.10.19 | 本发明公开了一种柔性基板，包括聚酰亚胺基底，在所述聚酰亚胺基底上设有无机层，在所述无机层上设有至少一 |
| 50 | CN102201551A | 一种倒置结构有机发光装置的制作方法 | 2011.09.28 | 本发明提供一种倒置结构有机发光装置的制作方法，包括如下步骤：沉积步骤：将硼化物放置在特定的容器内，加 |
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